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H5TQ4G63EFR-TECR
4Gb DDR3 SDRAM
- 品牌名称
- HYNIX(海力士)
- 商品型号
- H5TQ4G63EFR-TECR
- 商品编号
- C38219834
- 商品封装
- FBGA-96
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR3 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 1.067GHz | |
| 存储容量 | 4Gbit | |
| 工作电压 | 1.425V~1.575V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | 0℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能 |
商品概述
H5TQ4G83EFR-xxC、H5TQ4G63EFR-xxC、H5TQ4G83EFR-xxI、H5TQ4G63EFR-xxI、H5TQ4G83EFR-xxL、H5TQ4G63EFR-xxL、H5TQ4G83EFR-xxJ、H5TQ4G63EFR-xxJ、H5TQ4G83EFR-xxK 和 H5TQ4G63EFR-xxK 是一款 4,294,967,296 位的 CMOS 双倍数据速率 III（DDR3）同步动态随机存取存储器（SDRAM），非常适合需要大存储密度和高带宽的主存储器应用。SK 海力士 4Gb DDR3 SDRAM 提供完全同步操作，参考时钟的上升沿和下降沿。所有地址和控制输入在 CK 的上升沿（CK 的下降沿）锁存，数据、数据选通和写数据掩码输入在其上升沿和下降沿采样。数据路径在内部进行流水线处理，并进行 8 位预取以实现非常高的带宽。
商品特性
- VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V
- 完全差分时钟输入（CK、CK（上划线））操作
- 差分数据选通（DQS、DQS（上划线））
- 片上 DLL 使 DQ、DQS 和 DQS（上划线）的转换与 CK 转换对齐
- DM 在数据选通的上升沿和下降沿屏蔽写入数据
- 除数据、数据选通和数据掩码外，所有地址和控制输入在时钟的上升沿锁存
- 支持可编程 CAS 延迟 5、6、7、8、9、10、11、13 和 14
- 支持可编程附加延迟 0、CL - 1 和 CL - 2
- 可编程 CAS 写入延迟（CWL） = 5、6、7、8、9 和 10
- 支持可编程突发长度 4/8，具有半字节顺序和交错模式
- 支持动态突发长度切换
- 8 个存储体
- 平均刷新周期（温度范围 0°C ~ 105°C）：0°C ~ 85°C 时为 7.8μs；85°C ~ 95°C 时为 3.9μs；95°C ~ 105°C 时为 1.95μs
- 商业温度范围（0°C ~ 95°C）
- 工业温度范围（-40°C ~ 95°C）
- 汽车温度范围（-40°C ~ 105°C）
- JEDEC 标准 78 球 FBGA（x8）、96 球 FBGA（x16）
- 驱动强度由 EMRS 选择
- 支持动态片上终端
- 支持异步复位引脚
- 支持 ZQ 校准
- 支持 TDQS（终端数据选通）（仅 x8）
- 支持写入电平校准
- 8 位预取