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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 44.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.75nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 74pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品概述
WMO35N06T1采用先进的功率沟槽技术,该技术经过特别设计,可在最小化导通电阻的同时保持卓越的开关性能。
商品特性
- VDS = 60 V,ID = 35 A
- 当VGS = 10 V时,RDS(on) < 22 mΩ
- 当VGS = 4.5 V时,RDS(on) < 25 mΩ
- 提供环保器件
- 100%保证耐雪崩能力
- 针对高速平稳开关进行优化
应用领域
-同步整流-DC/DC转换器