温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SSM3K62TU,LF
N沟道MOS管
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：AEC-Q101合格。 1.2-V驱动。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 43 mΩ（典型值）(VGS = 4.5V)。 -RDS(ON) = 50 mΩ（典型值）(VGS = 2.5V)。 -RDS(ON) = 60 mΩ（典型值）(VGS = 1.8V)。 -RDS(ON) = 70 mΩ（典型值）(VGS = 1.5V)。应用：电源管理开关。 DC-DC转换器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM3K62TU,LF
- 商品编号
- C38122965
- 商品封装
- UFM
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 57mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 177pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 52pF |
商品特性
- 符合AEC-Q101标准
- 1.2 V驱动
- 低漏源导通电阻
应用领域
- 电源管理开关
- DC-DC转换器
其他推荐