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ISK057N04LM6ATSA1
OptiMOs 6功率晶体管，40 V
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- 描述
- 特性：N 沟道，逻辑电平。 2x2 封装中最低的导通电阻 RDS(on)。 2x2 封装具有出色的热阻。 100% 雪崩测试。 无铅镀铅，符合 RoHS 标准。 根据 IEC61248-2-21 标准无卤。 针对高性能和功率密度进行了优化
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- ISK057N04LM6ATSA1
- 商品编号
- C38038647
- 商品封装
- VSON-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.064克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 64A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 39.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 870pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |