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HGQ014N04B-G
N沟道功率MOSFET
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- 描述
- HGQ014N04B-G 是一款硅 N 沟道增强型 VDMOSFET，采用高密度沟槽技术制成，可降低导通损耗、提高开关性能并增强雪崩能量。该器件适用于负载开关和 PWM 应用。其封装形式为 PDFN5×6-8L，符合 RoHS 标准。
- 品牌名称
- CRMICRO(华润微)
- 商品型号
- HGQ014N04B-G
- 商品编号
- C37889992
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.21112克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 96W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 93.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.131nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 81pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.238nF |
商品概述
HGQ014N04B-G是硅N沟道增强型VDMOSFET,采用高密度沟槽技术制造,可降低传导损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该器件适用于负载开关和PWM应用。封装形式为PDFN5×6-8L,符合RoHS标准。
商品特性
- 快速开关
- 低导通电阻
- 低栅极电荷
- 低反向传输电容
- 100%单脉冲雪崩能量测试
- 无卤
应用领域
- 适配器和充电器的电源开关电路
- DC/DC和AC/DC转换器中的同步整流