IS25WP032D-JNLE-TR

串行闪存存储器，具备133MHz多I/O SPI和Quad I/O QPI DTR接口，支持多种SPI模式，有高性能、高安全性和灵活高效的存储架构

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品牌名称: ISSI(北京矽成)
商品型号: IS25WP032D-JNLE-TR
商品编号: C37789898
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

IS25LP032D和IS25WP032D串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，它在简化引脚数量的封装中实现了高灵活性和高性能。ISSI的“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该设备通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可以配置为多I/O功能（详见引脚说明）。该设备支持双I/O和四I/O，以及标准、双输出和四输出SPI。高达133MHz的时钟频率可实现高达532MHz（133MHz x 4）的等效时钟速率，相当于66MB/s的数据吞吐量。IS25xP系列闪存增加了对DTR（双传输速率）命令的支持，该命令可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。这些传输速率可以超越16位并行闪存，从而实现高效的内存访问，以支持XIP（即取即用）操作。出厂时，存储阵列的初始状态为擦除状态（所有位都设置为1）。 QPI（四外设接口）支持2周期指令，进一步减少了指令时间。页面可以按4KB扇区、32KB块、64KB块和/或整个芯片进行擦除。统一的扇区和块架构具有高度的灵活性，使该设备可用于各种需要可靠数据保留的应用。

商品特性

行业标准串行接口
IS25LP032D：32Mbit/4Mbyte
IS25WP032D：32Mbit/4Mbyte
每个可编程页面256字节
支持标准SPI、快速、双、双I/O、四、四I/O、SPI DTR、双I/O DTR、四I/O DTR和QPI
支持串行闪存可发现参数（SFDP）
高性能串行闪存（SPI）
50MHz正常读取和133MHz快速读取
等效532MHz QPI
高达66MHz的DTR（双传输速率）
可选的空周期
可配置的驱动强度
支持SPI模式0和3
超过100,000次擦除/编程周期
超过20年的数据保留期
灵活高效的内存架构
统一的芯片擦除：扇区/块擦除（4/32/64KB）
每页可编程1至256字节
编程/擦除暂停和恢复
高效的读取和编程模式
低指令开销操作
连续读取8/16/32/64字节突发回绕
可选的突发长度
自动启动操作
宽温度范围下的低功耗
单电压供电
- IS25LP：2.30V至3.60V
- IS25WP：1.65V至1.95V
4mA活动读取电流（典型值）
10μA待机电流（典型值）
1μA深度掉电电流（典型值）
温度等级：
- 扩展级：-40°C至+105°C
- 汽车级（A3）：-40°C至+125°C
先进的安全保护
软件和硬件写保护
4x256字节专用安全区域，带有OTP用户可锁定位
每个设备有128位唯一ID（联系厂家）
行业标准引脚排列和封装
B = 8引脚SOIC 208mil
N = 8引脚SOIC 150mil
T = 8触点USON 4x3mm
E = 8触点XSON 4x4mm
K = 8触点WSON 6x5mm
L = 8触点WSON 8x6mm（联系厂家）
M = 16引脚SOIC 300mil
G = 24球TFBGA 4x6阵列
H = 24球TFBGA 5x5阵列
KGD（联系厂家）
绿色封装（符合RoHS标准、无卤素）且符合TSCA标准

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	SPI
	存储容量	32Mbit
	时钟频率(fc)	133MHz
	工作电压	1.65V~1.95V
	待机电流	10uA
	擦写寿命	100000次

	属性	参数值
	写周期时间(Tw)	-
	页写入时间(Tpp)	-
	块擦除时间(tBE)	-
	数据保留 - TDR(年)	20年
	工作温度	-
	功能特性	硬件写保护；写使能锁存；软件写保护