IS25LP512MJ-RHLA3

IS25LP512MJ和IS25WP512MJ串行闪存存储器在简化引脚数的封装中提供了一种多功能存储解决方案，具有高度的灵活性和性能。ISSI的“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数和功耗要求较低的系统。该设备通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可以配置为多I/O（请参阅引脚说明）。 该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI。IS25xP系列闪存增加了对DTR（双传输速率）命令的支持，该命令可以在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。这些传输速率可以超过16位并行闪存存储器，从而实现高效的内存访问，以支持XIP（原地执行）操作。 出厂时，存储阵列的初始状态为擦除状态（所有位都设置为1）。 QPI（四外设接口）支持2周期指令，进一步减少了指令时间。页面可以按4K字节扇区、32K字节块、64K/256K字节块和/或整个芯片进行擦除。统一的扇区和块架构具有高度的灵活性，因此该设备可用于各种需要可靠数据保留的应用。

• 行业标准串行接口：
  • IS25LP512MJ：512Mbit/64Mbyte
  • IS25WP512MJ：512Mbit/64Mbyte
  • 3或4字节寻址模式
  • 支持标准SPI、快速、双、双I/O、四、四I/O、SPI DTR、双I/O DTR、四I/O DTR和QPI
  • 软件和硬件复位
  • 支持串行闪存可发现参数（SFDP）
  • 可选专用WP#（3）
• 高性能串行闪存（SPI）：
  • 80MHz正常读取
  • 高达166Mhz快速读取
  • 高达104MHz DTR（双传输速率）
  • 可选虚拟周期
  • 可配置驱动强度
  • 支持SPI模式0和3
  • 超过100,000次擦除/编程周期
  • 超过20年数据保留
• 灵活高效的内存架构：
  • 统一扇区/块擦除（4/32/64KB或4/32/256 KB）的芯片擦除（2）
  • 每页编程1到256或512字节（2）
  • 编程/擦除暂停和恢复
• 高效的读取和编程模式：
  • 连续读取8/16/32/64字节突发回绕
  • 可选突发长度
  • DTR操作中的数据学习模式
• 宽温度范围下的低功耗：
  • 单电压供电
    • IS25LP：2.70V至3.60V
    • IS25WP：1.65V至1.95V
  • 8 mA有源读取电流
  • 6 µA待机电流
  • 1 µA深度掉电
  • 温度等级：
    • 扩展：-40°C至+105°C
    • 自动等级（A3）：-40°C至+125°C
• 高级安全保护：
  • 软件和硬件写保护
  • 高级扇区/块保护
  • 顶部/底部块保护
  • 4x1K字节专用安全区域，带有OTP用户可锁定位
  • 每个设备128位唯一ID（联系工厂）
• 行业标准引脚排列和封装（1, 2）：
  • M = 16引脚SOIC 300mil
  • L = 8触点WSON 8x6mm
  • G = 24球TFBGA 6x8mm（4x6球阵列）
  • H = 24球TFBGA 6x8mm（5x5球阵列）
  • W = KGD（联系工厂）
  • 绿色封装（符合RoHS标准、无卤素）且符合TSCA标准