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TK25A10K3(STA4,Q,M
用于开关稳压器应用的硅N沟道MOS型（U-MOSIV）场效应晶体管
- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：IDSS(ON) = 31mΩ（典型值）。 高正向传输导纳：|Yfs| = 50S（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 100V)。 增强型模式：VTH = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK25A10K3(STA4,Q,M
- 商品编号
- C37751237
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.58nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 135pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品特性
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 31 mΩ(典型值)
- 高正向传输导纳:|Yfs| = 50 S(典型值)
- 低漏电流:IDSS = 10μA(最大值)(VDS = 100V)
- 增强型:Vth = 2.0 至 4.0 V(VDS = 10 V,ID = 1 mA)
应用领域
-通用电子应用-计算机-个人设备-办公设备-测量设备-工业机器人-家用电子电器
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