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WMB115N15HG4
150V N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- WMB115N15HG4采用了第四代功率沟槽MOSFET技术，该技术经过特别优化，可在最大程度降低导通电阻的同时保持卓越的开关性能。此器件非常适合高效快速开关应用。
- 品牌名称
- Wayon(上海维安)
- 商品型号
- WMB115N15HG4
- 商品编号
- C37723593
- 商品封装
- PDFN5060-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2758克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.31nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 268pF |
商品概述
WMB115N15HG4采用了威昂(Wayon)的第四代功率沟槽MOSFET技术,该技术经过特别优化,可在最小化导通电阻的同时保持出色的开关性能。该器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 150 V,漏极电流(ID) = 75 A
- 当栅源电压(VGS) = 10 V时,导通电阻(RDS(ON)) < 11.5 mΩ
- 低导通电阻(RDS(ON))
- 100%保证抗雪崩能力(EAS)
- 高速功率开关
应用领域
- 同步整流
- 直流-直流转换器(DC/DC Converter)
- 电机控制