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WMLL013N08HGS
N沟道 80V 400A
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- 描述
- 采用先进的功率沟槽MOSFET技术，专门设计用于最小化导通电阻，同时保持出色的开关性能。该器件非常适合高效快速开关应用。
- 品牌名称
- Wayon(上海维安)
- 商品型号
- WMLL013N08HGS
- 商品编号
- C37656686
- 商品封装
- TOLL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.106161克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 400A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.05mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 468.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 243.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 13.085nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.615nF |