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S1M007120PD实物图
  • S1M007120PD商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

S1M007120PD

SIC MOSFET 1200V7mΩ

描述
特性:高速开关。 极低的开关损耗。 高阻断电压和低导通电阻。 与温度无关的关断开关损耗。 无卤,符合RoHS标准。应用:EV电机驱动。 PV串式逆变器
品牌名称
SICHAIN(清纯)
商品型号
S1M007120PD
商品编号
C37636035
商品封装
TO-247-4L​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
类型N沟道
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)253A
耗散功率(Pd)833W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)429nC
输入电容(Ciss)10.931nF
反向传输电容(Crss)35pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)422pF
导通电阻(RDS(on))7mΩ

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