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DRV8262QDDWRQ1实物图
  • DRV8262QDDWRQ1商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DRV8262QDDWRQ1

具有电流检测输出的60V单路或双路H桥电机驱动器

描述
DRV8262-Q1 是一款宽电压、高功率 H 桥电机驱动器,适用于 24V 和 48V 汽车应用。该器件集成了两个 H 桥来驱动一个或两个直流电机或一个双极步进电机。DRV8262-Q1 在双路 H 桥模式下支持高达 8A 的峰值电流,在单路 H 桥模式下支持高达 16A 的峰值电流。该器件还集成了电流检测和调节、电流检测输出以及保护电路。在启动期间和高负载事件中,高侧 MOSFET 两端的集成电流检测功能可实现通过驱动器调节电机电流。利用可调外部电压基准,可设置电流限值。该器件还提供与每个 H 桥的电机电流成正比的输出电流。集成感应消除了对分流电阻的需求,因而可以节省电路板面积并降低系统成本。该器件提供一种低功耗睡眠模式,可实现超低静态电流。提供的内部保护特性包括:电源欠压锁定(UVLO)、电荷泵欠压 (CPUV) 保护、输出过流 (OCP)保护和器件过热 (OTSD) 保护。
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
DRV8262QDDWRQ1
商品编号
C37601386
商品封装
HTSSOP-44​
包装方式
编带
商品毛重
0.5克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录有刷直流电机驱动芯片
集成FET
H桥数量2
峰值电流8A
属性参数值
工作电压3.05V~5.5V
导通电阻100mΩ
静态电流(Iq)3uA
工作温度-40℃~+125℃

商品概述

DRV8262-Q1 是一款宽电压、高功率 H 桥电机驱动器,适用于 24V 和 48V 汽车应用。该器件集成了两个 H 桥来驱动一个或两个直流电机或一个双极步进电机。DRV8262-Q1 在双路 H 桥模式下支持高达 8A 的峰值电流,在单路 H 桥模式下支持高达 16A 的峰值电流。该器件还集成了电流检测和调节、电流检测输出以及保护电路。 在启动期间和高负载事件中,高侧 MOSFET 两端的集成电流检测功能可实现通过驱动器调节电机电流。利用可调外部电压基准,可设置电流限值。该器件还提供与每个 H 桥的电机电流成正比的输出电流。集成感应消除了对分流电阻的需求,因而可以节省电路板面积并降低系统成本。 该器件提供一种低功耗睡眠模式,可实现超低静态电流。提供的内部保护特性包括:电源欠压锁定(UVLO)、电荷泵欠压 (CPUV) 保护、输出过流 (OCP)保护和器件过热 (OTSD) 保护。

商品特性

  • 符合汽车应用要求的 AEC-Q100
  • 温度等级 1: -40°C 至 +125°C,TA
  • 功能安全型
  • 可帮助进行功能安全系统设计的文档
  • 单路或双路 H 桥电机驱动器
  • 驱动一个或两个有刷直流电机
  • 一个步进电机一个或两个热电冷却器 (TEC)
  • 4.5V 至 60V 工作电源电压范围
  • 低 RDS(ON)
    • 100mΩ HS + LS(双路 H 桥)
    • 50mΩ HS + LS(单路 H 桥)
  • 高输出电流能力
    • 双路 H 桥(24V,25°C):8A 峰值
    • 单路 H 桥(24V,25°C):16A 峰值
  • 可编程运行接口
    • 相位/使能 (PH/EN)
    • PWM (IN/IN)
  • 集成式电流检测和调节
    • 高侧 MOSFET 的电流检测
    • 每个 H 桥的检测输出 (IPROPI)
    • 最大电流下的检测精度 ± 4%
  • 单独的逻辑电源电压 (VCC)
  • 可配置的关断时间 PWM 斩波
    • 7μs、16μs、24μs 或 32μs
  • 可编程故障恢复方法
  • 支持 1.8V、3.3V、5.0V 逻辑输入
  • 低电流睡眠模式 (3μA)
  • 保护特性
    • VM 欠压锁定 (UVLO)
    • 电荷泵欠压 (CPUV)
    • 过流保护 (OCP)
    • 热关断 (OTSD)
    • 故障状态输出 (nFAULT)

应用领域

  • 24V 和 48V 汽车车身系统
  • 汽车类有刷直流电机
  • 车门模块、后视镜、换挡器、座椅
  • 后备箱升降器、车窗升降器
  • 转向柱、天窗遮阳帘
  • 电动汽车、卡车、公共汽车和其他商用车辆