ISO7721FQDWVRQ1

高速、增强型双通道数字隔离器，EMC性能优异

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描述: ISO772x-Q1 器件是一款高性能双通道数字隔离器，可提供符合 UL 1577 标准的 5000VRMS（DW 和 DWV ）和 3000VRMS（D 封装）隔离额定值。该系列包含的器件具有符合 VDE、CSA、TUV 和 CQC 标准的增强绝缘等级。在隔离互补金属氧化物半导体 (CMOS) 或者低电压互补金属氧化物半导体 (LVCMOS) 数字 I/O 的同时，ISO772x-Q1 器件还可提供高电磁抗扰度和低辐射，同时具备低功耗特性。每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由双电容二氧化硅 (SiO₂) 绝缘栅相隔离。ISO7720-Q1 器件具有两条同向通道，而 ISO7721-Q1 器件具有两条反向通道。如果输入功率或信号出现损失，不带后缀 F 的器件默认输出高电平，带后缀 F 的器件默认输出低电平。
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: ISO7721FQDWVRQ1
商品编号: C37574997
商品封装: SOIC-8
包装方式: 袋装
商品毛重: 0.175克(g)

商品参数

商品概述

ISO772x-Q1 器件是一款高性能双通道数字隔离器，可提供符合 UL 1577 标准的 5000VRMS（DW 和 DWV ）和 3000VRMS（D 封装）隔离额定值。该系列包含的器件具有符合 VDE、CSA、TUV 和 CQC 标准的增强绝缘等级。在隔离互补金属氧化物半导体 (CMOS) 或者低电压互补金属氧化物半导体 (LVCMOS) 数字 I/O 的同时，ISO772x-Q1 器件还可提供高电磁抗扰度和低辐射，同时具备低功耗特性。每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由双电容二氧化硅 SiO2 绝缘栅相隔离。ISO7720-Q1 器件具有两条同向通道，而 ISO7721-Q1器件具有两条反向通道。如果输入功率或信号出现损失，不带后缀 F 的器件默认输出高电平，带后缀 F 的器件默认输出低电平。这些器件与隔离式电源结合使用，有助于防止 CAN 和LIN 等数据总线损坏敏感电路。凭借创新型芯片设计和布线技术，ISO772x-Q1 器件的电磁兼容性得到了显著增强，可缓解系统级 ESD、EFT 和浪涌问题并符合辐射标准。ISO772x-Q1 系列器件可提供 16 引脚 SOIC宽体 (DW)、8 引脚 SOIC 宽体 (DWV) 和 8 引脚 SOIC窄体 (D) 封装。

商品特性

符合汽车应用要求
符合AEC-Q100标准，具体结果为:器件温度等级 1:-40℃ 至 +125℃ 环境工作温度范围；器件 HBM ESD 分类等级 3A；器件 CDM ESD 分类等级 C6
功能安全型，可提供用于功能安全系统设计的文档，对应ISO7720-Q1、ISO7721-Q1
支持100Mbps 数据速率
隔离栅稳健可靠:在 1.5kVRMS 工作电压下预计寿命超过 30 年；隔离等级高达 5000VRMS；浪涌能力高达 12.8kV；CMTI 典型值为 ±100kV/μs
电源电压范围为 2.25V 至 5.5V
支持 2.25V 至 5.5V 电平转换
提供默认输出高电平 (ISO772x) 和低电平 (ISO772xF) 选项
低功耗，1Mbps 时每通道的电流典型值为 1.7mA
低传播延迟:11ns（典型值）
电磁兼容性 (EMC) 优异:具备系统级 ESD、EFT 和浪涌抗扰性；在整个隔离栅具有 ±8kV IEC 61000-4-2 接触放电保护；低干扰 (EMI)
提供宽体 SOIC（DW-16、DWV-8）和窄体 SOIC (D-8) 封装选项
拥有多项安全相关认证:符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 标准的 VDE 增强型绝缘；UL 1577 组件认证；符合 IEC 62368-1、IEC 61010-1、IEC 60601-1 和 GB 4943.1 认证

应用领域

混合动力、电动和动力总成系统 (EV/HEV)
电池管理系统 (BMS)
车载充电器
牵引逆变器
直流/直流转换器
逆变器和电机控制

	属性	参数值
	商品目录	数字隔离器
	正向通道数	1
	反向通道数	1
	最大数据速率	100Mbps
	默认输出	低电平
	隔离电压(Vrms)	5000
	CMTI(kV/us)	100kV/us

	属性	参数值
	传播延迟(tpd)	11ns
	功能特性	失效安全输出
	工作电压(VCCA)	2.25V~5.5V
	工作电压(VCCB)	2.25V~5.5V
	工作温度	-40℃~+125℃
	通道数	2