GS-065-030-6-LR-TR
GS-065-030-6-LR-TR
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- GS-065-030-6-LR-TR
- 商品编号
- C37372865
- 商品封装
- PDFN-8(8x8)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | - | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.7nC | |
| 输入电容(Ciss) | 235pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 70pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ |
商品概述
GS-065-030-6-LR是一款增强型氮化镓硅基功率晶体管。氮化镓的特性使其能够实现高电流、高电压击穿和高开关频率。氮化镓系统公司通过行业领先的创新技术,如获得专利的岛式技术单元布局,实现了高电流芯片和高良率。GS-065-030-6-LR是一款底部散热的晶体管,为高功率应用提供了低结壳热阻。这些特性相结合,实现了非常高效的功率开关。
商品特性
- 700V增强型功率晶体管
- 850V瞬态漏源电压
- 底部散热,8×8mm PDFN封装
- RDS(on) = 37mΩ
- IDS,max = 40A / IDSmax,Pulse = 67A
- 简单的栅极驱动要求(0V至6V)
- 抗瞬态栅极驱动(-20V / +10V)
- 高开关频率(> 1MHz)
- 快速且可控的上升和下降时间
- 反向导通能力
- 零反向恢复损耗
- 用于优化栅极驱动的源极检测(SS)引脚
- 符合RoHS 3(6+4)标准
应用领域
- 无桥图腾柱PFC
- 消费、工业和数据中心高密度电源
- 高功率适配器
- LED照明驱动器
- 家电和工业电机驱动器
- 太阳能逆变器
- 不间断电源
- 激光驱动器
- 无线电力传输


