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GS-065-030-6-LR-TR引脚图
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GS-065-030-6-LR-TR

GS-065-030-6-LR-TR

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商品型号
GS-065-030-6-LR-TR
商品编号
C37372865
商品封装
PDFN-8(8x8)​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录氮化镓晶体管(GaN HEMT)
类型-
技术路线E-mode
漏源电压(Vdss)700V
连续漏极电流(Id)40A
耗散功率(Pd)-
阈值电压(Vgs(th))1.7V
属性参数值
数量-
栅极电荷量(Qg)6.7nC
输入电容(Ciss)235pF
反向传输电容(Crss)1.6pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)70pF
导通电阻(RDS(on))37mΩ

商品概述

GS-065-030-6-LR是一款增强型氮化镓硅基功率晶体管。氮化镓的特性使其能够实现高电流、高电压击穿和高开关频率。氮化镓系统公司通过行业领先的创新技术,如获得专利的岛式技术单元布局,实现了高电流芯片和高良率。GS-065-030-6-LR是一款底部散热的晶体管,为高功率应用提供了低结壳热阻。这些特性相结合,实现了非常高效的功率开关。

商品特性

  • 700V增强型功率晶体管
  • 850V瞬态漏源电压
  • 底部散热,8×8mm PDFN封装
  • RDS(on) = 37mΩ
  • IDS,max = 40A / IDSmax,Pulse = 67A
  • 简单的栅极驱动要求(0V至6V)
  • 抗瞬态栅极驱动(-20V / +10V)
  • 高开关频率(> 1MHz)
  • 快速且可控的上升和下降时间
  • 反向导通能力
  • 零反向恢复损耗
  • 用于优化栅极驱动的源极检测(SS)引脚
  • 符合RoHS 3(6+4)标准

应用领域

  • 无桥图腾柱PFC
  • 消费、工业和数据中心高密度电源
  • 高功率适配器
  • LED照明驱动器
  • 家电和工业电机驱动器
  • 太阳能逆变器
  • 不间断电源
  • 激光驱动器
  • 无线电力传输

数据手册PDF

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