温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HGB016NE6A
65V N-Ch Power MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：高速功率开关。 增强型体二极管 dv/dt 能力。 增强型雪崩耐用性。 100% UIS 测试，100% Rg 测试。 无负载，无哈龙。应用：开关电源中的同步整流。 硬开关和高速电路
- 品牌名称
- Hunteck(恒泰柯)
- 商品型号
- HGB016NE6A
- 商品编号
- C3345117
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.77克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 363A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 333W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.671nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 161pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.042nF |
商品概述
AP4024系列采用了Advanced Power创新的设计和硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种极为高效的器件，可广泛应用于各种电源领域。 PMPAK 3x3封装专为电压转换应用而设计，采用标准红外回流焊技术，并带有背面散热片，以实现良好的热性能。
商品特性
- 驱动要求简单
- 尺寸小且厚度薄
- 符合RoHS标准且无卤