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LKSM5003NBI
IPM成品模块
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- 描述
- LKSM5003NBI 内部集成高压预驱以及一颗高性能MOSFET。LKSM5003NB 内部集成一颗Bootstrap 二极管以及一颗高性能MOSFET。LKSM5003NBI 和LKSM5003NB 搭配使用，构成是一款半桥功率模块，适用于直流无刷BLDC 电机和永磁同步PMSM 电机。LKSM5003NB 的MOSFET 的源极可以用于电流采样。输入端包含史密斯触发器并且逻辑电平兼容3.3V/5V/15V。LKSM5003NBI 采用HSOP7 封装。LKSM5003NB 采用ESSOP6 封装。
- 品牌名称
- LINKOSEMI(凌鸥创芯)
- 商品型号
- LKSM5003NBI
- 商品编号
- C37328726
- 商品封装
- HSOP-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
- 立创商城设计参考
- 无刷电机驱动-(2)12V~25V供电-(2)2A~4A方案
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 智能功率模块(IPM) | |
| 类型 | MOSFET | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 开关频率 | 20kHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 工作电压 | 12V~18V | |
| 高侧偏置电压(Vbs) | 12V~18V | |
| 静态电流(Iq) | 50uA |
商品概述
LKSM5003NBI 内部集成高压预驱以及一颗高性能MOSFET。LKSM5003NB 内部集成一颗Bootstrap 二极管以及一颗高性能MOSFET。 LKSM5003NBI 和LKSM5003NB 搭配使用，构成是一款半桥功率模块，适用于直流无刷BLDC 电机和永磁同步PMSM 电机。LKSM5003NB 的MOSFET 的源极可以用于电流采样。 输入端包含史密斯触发器并且逻辑电平兼容3.3V/5V/15V。 LKSM5003NBI 采用HSOP7 封装。LKSM5003NB 采用ESSOP6 封装。
商品特性
- 内置高性能500V/3A MOSFET
- 内置Bootstrap 二极管
- 对于负的瞬态电压具有高鲁棒性
- ⻔极驱动电压范围⽀持10V~20V
- 输入逻辑电平兼容3.3V, 5V 以及 15V
- 高侧和低侧均⽀持UVLO
- 内置死区避免上下管直通
应用领域
- 高速⻛筒
- ⻛扇
- 电动工具
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