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IPB015N04L G
1个N沟道 耐压:40V 电流:120A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB015N04L G
- 商品编号
- C403866
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.581克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@200uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 346nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 28nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 4.5nF |
商品特性
- 用于开关电源（SMPS）的快速开关MOSFET
- 针对直流-直流（DC/DC）转换器优化的技术
- 符合JEDEC标准，适用于目标应用
- N沟道、逻辑电平
- 出色的栅极电荷×导通电阻RDS(on)乘积（品质因数FOM）
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 雪崩额定
- 无铅镀层；符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
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