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JSW3-272DR+
反射式SP3T RF开关，内置CMOS驱动器和负电压发生器，采用硅上绝缘体工艺，宽频带操作，单正电源电压，小尺寸封装
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- 品牌名称
- Mini-Circuits
- 商品型号
- JSW3-272DR+
- 商品编号
- C37232478
- 商品封装
- QFN-14(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 射频开关 | |
| 电路结构 | 单刀三掷 | |
| 频率 | 5MHz~2.7GHz | |
| 隔离度 | 25dB | |
| 插入损耗 | 0.8dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| P1dB | 35dBm | |
| 工作电压 | 2.5V~4.8V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 集成控制逻辑 |
商品概述
JSW3-272DR+ 是一款反射式单刀三掷射频开关，在关断状态下输出端口呈现反射式短路。该器件采用绝缘体上硅工艺制造，具有极高的三阶截断点、内置CMOS驱动器和负压发生器。其微小的2×2mm、14引脚封装使其能够在紧凑空间和高密度PCB布局中实现宽带性能。该开关集成了驱动器，采用单正电源电压工作，典型功耗为40µA，专为5至2700MHz的极宽带操作而设计，封装为微型14引脚2mm×2mm×0.55mm封装，符合MSL1等级和1B级ESD标准。
商品特性
- 高隔离度，在1GHz时典型值为37dB
- 低插入损耗，在1GHz时典型值为0.6dB
- 高三阶截断点，在1GHz时典型值为59dBm
- 低电流消耗，典型值为40µA
- 超小尺寸内实现高端口数
- 单正电源电压，2.5V至4.8V
应用领域
- 有线电视系统
- 卫星通信系统
- 自动化测试站
- 电信系统