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NVMFWS2D3N04XMT1G
N沟道，标准栅极MOSFET
- 描述
- 特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。 低电容以最小化驱动损耗。 小尺寸（5×6mm），设计紧凑。 通过AECQ101认证，可提供生产件批准程序（PPAP）文件。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准。应用：电机驱动。 电池保护
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMFWS2D3N04XMT1G
- 商品编号
- C37181652
- 商品封装
- SO-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 121A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.03mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 63W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.417nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 911pF |
商品特性
- 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
- 低电容,以最小化驱动损耗
- 小尺寸封装(5 x 6 mm),设计紧凑
- 通过AECQ101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 这些器件为无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR)产品,符合RoHS标准
应用领域
-电机驱动-电池保护-同步整流