W25Q16RVSNJQ

3V 16M-BIT 串行闪存存储器，支持双/四SPI和QPI

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品牌名称: Winbond(华邦)
商品型号: W25Q16RVSNJQ
商品编号: C37101905
商品封装: SOIC-8-150mil
包装方式: 管装
商品毛重: 0.218906克(g)

商品参数

	属性	参数值
	写周期时间(Tw)	-
	页写入时间(Tpp)	-
	块擦除时间(tBE)	-
	数据保留 - TDR(年)	20年
	工作温度	-40℃~+105℃
	功能特性	硬件写保护；绝对写保护；写使能锁存；软件写保护；上电复位

商品概述

W25Q16RV（16兆位）串行闪存为空间、引脚和功率有限的系统提供存储解决方案。25Q系列提供了远超普通串行闪存器件的灵活性和性能。它们非常适用于将代码影子化到RAM、直接从双/四SPI（XIP）执行代码以及存储语音、文本和数据。该器件在2.7V至3.6V单电源下工作，在掉电模式下功耗可低至1μA。W25Q16RV阵列组织为8，192个可编程页，每页256字节。每次最多可编程256字节。页可以按16页一组（4KB扇区擦除）、128页一组（32KB块擦除）、256页一组（64KB块擦除）或整个芯片（芯片擦除）进行擦除。W25Q16RV分别具有512个可擦除扇区和32个可擦除块。4KB的小扇区为需要存储数据和参数的应用提供了更大的灵活性。W25Q16RV支持标准串行外设接口（SPI）、双/四I/O SPI以及四线外设接口（QPI）：串行时钟、片选、串行数据I/O0（DI）、I/O1（DO）、I/O2（/WP）和I/O3（/HOLD）。支持高达133MHz的SPI时钟频率，当使用快速读取双/四I/O和QPI指令时，可实现266MHz（133MHz × 2）的双I/O等效时钟速率和532MHz（133MHz × 4）的四I/O等效时钟速率。这些传输速率可以超越标准的异步8位和16位并行闪存。读取指令旁路模式允许高效的内存访问。

商品特性

支持标准SPI、双SPI、四SPI和QPI
支持高达133MHz的时钟频率
双I/O数据速率高达266MHz
四I/O数据速率高达532MHz
支持快速读取双/四I/O指令
灵活的擦除架构：扇区擦除（4KB）、块擦除（32KB/64KB）和芯片擦除
低功耗特性：工作电流低至4mA（典型值），掉电电流低至1μA（典型值）
软件和硬件复位功能
写保护特性：通过状态寄存器控制
顶部/底部块保护配置
安全寄存器：256字节，一次性可编程
每个器件具有64位序列号
支持挂起和恢复擦除/编程操作
可编程输出驱动强度
小型封装选项：SOIC 150/208-mil、WSON 6×5-mm、XSON 2×3-mm
工业增强级温度范围：-40℃ ~ +105℃
单电源供电：2.7V ~ 3.6V
超过100，000次擦写周期
数据保持期超过20年

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	SPI
	存储容量	16Mbit
	时钟频率(fc)	133MHz
	工作电压	2.7V~3.6V
	待机电流	-
	擦写寿命	100000次