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UPG2179TB-E4-A
L、S波段单刀双掷射频开关
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- 描述
- μPG2179TB是一款适用于L、S波段的GaAsMMIC单刀双掷（SPDT）射频开关，设计用于移动电话和其他L、S波段应用。该器件可以通过2.5至5.3V的控制电压进行切换操作，工作频率范围为0.05至3.0GHz，具有低插入损耗和高隔离度。
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- UPG2179TB-E4-A
- 商品编号
- C3312585
- 商品封装
- TSSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.047284克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 射频开关 | |
| 频率 | - | |
| 隔离度 | 24dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 插入损耗 | 0.4dB | |
| 工作电压 | 2.5V~5.3V | |
| 工作温度 | -45℃~+85℃ |
商品概述
µPG2179TB是一款用于L、S波段单刀双掷（SPDT）开关的砷化镓（GaAs）单片微波集成电路（MMIC），专为手机及其他L、S波段应用而开发。该器件可通过2.5至5.3 V的控制电压实现2路控制切换。其工作频率范围为0.05至3.0 GHz，具有低插入损耗和高隔离度的特点。 该器件采用6引脚超级微型封装，这种封装能够实现高密度表面贴装。
商品特性
- 开关控制电压：Vcont(H) = 2.5至5.3 V（典型值3.0 V），Vcont(L) = -0.2至+0.2 V（典型值0 V）
- 低插入损耗：Lins1 = 典型值0.25 dB @ f = 0.05至1.0 GHz，Vcont(H) = 3.0 V，Vcont(L) = 0 V；Lins2 = 典型值0.30 dB @ f = 1.0至2.0 GHz，Vcont(H) = 3.0 V，Vcont(L) = 0 V；Lins3 = 典型值0.35 dB @ f = 2.0至2.5 GHz，Vcont(H) = 3.0 V，Vcont(L) = 0 V；Lins4 = 典型值0.40 dB @ f = 2.5至3.0 GHz，Vcont(H) = 3.0 V，Vcont(L) = 0 V
- 高隔离度：|SL| = 典型值27 dB @ f = 0.05至2.0 GHz，Vcont(H) = 3.0 V，Vcont(L) = 0 V；|SL2| = 典型值24 dB @ f = 2.0至3.0 GHz，Vcont(H) = 3.0 V，Vcont(L) = 0 V
- 处理功率：Pin(0.1 dB) = 典型值+29.0 dBm @ f = 0.5至3.0 GHz，Vcont(H) = 3.0 V，Vcont(L) = 0 V；Pin(1 dB) = 典型值+32.0 dBm @ f = 0.5至3.0 GHz，Vcont(H) = 3.0 V，Vcont(L) = 0 V
- 高密度表面贴装：6引脚超级微型封装（2.0x1.25x0.9 mm）
应用领域
- L、S波段数字蜂窝或无绳电话
- 个人通信系统（PCS）、无线局域网（W-LAN）、无线本地环路（WLL）和蓝牙等