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NVMFWS3D0N08XT1G
N沟道标准栅极MOSFET，80V，3mΩ，135A
- 描述
- 特性：低QRR，软恢复体二极管。 低RDS(on)以最小化传导损耗。 低QG和电容以最小化驱动损耗。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂且符合RoHS标准。应用：直流-直流和交流-直流中的同步整流（SR）。 隔离式直流-直流转换器中的初级开关
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMFWS3D0N08XT1G
- 商品编号
- C36981641
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 135A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 119W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.68nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 780pF |
商品特性
- 采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源