LMG3612REQR

具有集成驱动器的650V GaN FET

描述: 一款集成式 650V 120mΩ GaN 功率 FET，适用于开关电源转换器。在 8mm x 5.3mm QFN 封装中整合了 GaN FET、栅极驱动器和保护特性。额定电压为 650V 的 GaN FET 支持离线电源开关应用中遇到的高电压。GaN FET 低输出电容电荷减少了电源转换器开关所需的时间和能量，这是设计小型高效电源转换器所需的关键特性。内部栅极驱动器可调节驱动电压，以实现出色的 GaN FET 导通电阻。内部驱动器可降低总栅极电感和 GaN FET 共源电感，从而提高开关性能，包括共模瞬态抗扰度 (CMTI)
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: LMG3612REQR
商品编号: C36974967
商品封装: VQFN-38(5.3x8)
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	传播延迟 tpHL	33ns
	工作温度	-40℃~+150℃
	输入高电平(VIH)	2.5V
	输入低电平(VIL)	600mV
	静态电流(Iq)	55uA
	功能特性	使能关断；内置自举二极管；交错导通保护；死区时间控制；过流保护；充电泵升压

商品概述

LMG3612 是一款集成式 650V 120mΩ GaN 功率FET，适用于开关模式电源应用。LMG3612 在 8mm × 5.3mm QFN 封装中整合了GaN功率FET和栅极驱动器，简化了设计并减少了元件数量。可编程导通压摆率可提供EMI和振铃控制。LMG3612 具有低静态电流和快速启动时间，支持转换器轻负载效率要求和突发模式运行。保护特性包括欠压锁定(UVLO)和过热保护，过热保护通过开漏FLT引脚报告。额定电压为650V的GaN FET支持离线电源开关应用中遇到的高电压。GaN FET低输出电容电荷减少了电源转换器开关所需的时间和能量，是设计小型高效电源转换器所需的关键特性。LMG3612 内部栅极驱动器可调节驱动电压，以实现出色的GaN FET导通电阻；内部驱动器可降低总栅极电感和GaN FET共源电感，从而提高开关性能，包括共模瞬态抗扰度(CMTI)；GaN FET导通压摆率可单独设定为四个分立式设置之一，从而在功率损耗、开关引起的振铃和EMI方面实现设计灵活性。

商品特性

集成650V 120mΩ GaN 功率FET
集成具有低传播延迟和可调节导通压摆率控制的栅极驱动器
过热保护通过FLT引脚报告
带有散热焊盘的 8mm × 5.3mm QFN 封装
可编程导通压摆率，可实现EMI和振铃控制
具有低静态电流和快速启动时间，支持转换器轻负载效率和突发模式运行
保护特性包含欠压锁定(UVLO)
GaN FET低输出电容电荷，减少开关时间和能耗
降低总栅极电感和GaN FET共源电感，提升包含共模瞬态抗扰度(CMTI)在内的开关性能
导通压摆率可分四个分立设置调整，为设计提供灵活性

应用领域

交流/直流适配器和充电器
交流/直流 USB 墙壁插座电源
交流/直流辅助电源
电视电源
移动式壁式充电器设计
车辅助电源
电视 SMPS 电源
LED 电源

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	1
	工作电压	10V~26V
	下降时间(tf)	21ns
	传播延迟 tpLH	28ns