LMG3612REQR

具有集成驱动器的650V GaN FET

描述

一款集成式 650V 120mΩ GaN 功率 FET，适用于开关电源转换器。在 8mm x 5.3mm QFN 封装中整合了 GaN FET、栅极驱动器和保护特性。额定电压为 650V 的 GaN FET 支持离线电源开关应用中遇到的高电压。GaN FET 低输出电容电荷减少了电源转换器开关所需的时间和能量，这是设计小型高效电源转换器所需的关键特性。内部栅极驱动器可调节驱动电压，以实现出色的 GaN FET 导通电阻。内部驱动器可降低总栅极电感和 GaN FET 共源电感，从而提高开关性能，包括共模瞬态抗扰度 (CMTI)

品牌名称

TI(德州仪器)

商品型号

LMG3612REQR

商品编号

C36974967

商品封装

VQFN-38(5.3x8)​

包装方式

袋装

商品毛重

1克(g)