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PE42420F-Z

20-6000MHzSPDT射频开关

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描述: PE42420是一款采用HaRPTM技术增强的SPDT射频开关，适用于3G/4G无线基础设施和其他高性能RF应用。它适用于发射路径切换、RF和IF信号路由、AGC环路和滤波器组切换应用。
品牌名称: pSemi(游隼半导体)
商品型号: PE42420F-Z
商品编号: C3303823
商品封装: LGA-20(4x4)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.498克(g)

商品概述

PE42420是一款采用HaRP™技术增强的吸收式单刀双掷（SPDT）射频开关，专为3G/4G无线基础设施和其他高性能射频应用而设计。它非常适合发射路径切换、射频和中频信号路由、自动增益控制（AGC）环路以及滤波器组切换应用。这款通用开关由两个对称的射频端口组成，在高达6 GHz的频率范围内具有出色的端口间隔离性能。集成的CMOS解码器支持双引脚低压CMOS控制接口。此外，如果射频端口上存在0 VDC，则无需外部隔直电容。 PE42420采用pSemi的UltraCMOS®工艺制造，这是一种在蓝宝石衬底上的绝缘体上硅（SOI）技术的专利变体。 pSemi的HaRP技术增强功能可实现高线性度和出色的谐波性能。它是UltraCMOS工艺的一项创新特性，兼具砷化镓（GaAs）的性能以及传统CMOS的经济性和集成度。

商品特性

采用HaRP™技术增强
无栅极和相位滞后
插入损耗和相位无漂移
高线性度
三阶输入截点（IIP3）为65 dBm
高隔离度
1 GHz时为69 dB
3 GHz时为62 dB
6 GHz时为50 dB
支持+1.8V控制逻辑
工作温度可达+125 ℃
高静电放电（ESD）耐受性
射频公共端（RFC）的人体模型（HBM）静电放电耐压为4 kV

应用领域

3G/4G无线基础设施
其他高性能射频应用
发射路径切换
射频和中频信号路由
自动增益控制（AGC）环路
滤波器组切换应用

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	属性	参数值
	商品目录	射频开关
	频率	20MHz~6GHz
	隔离度	50dB

	属性	参数值
	插入损耗	1.6dB
	工作电压	2.7V~5.5V
	工作温度	-65℃~+125℃