商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 移位寄存器 | |
| 功能 | - | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 时钟频率(fc) | 25MHz | |
| 元件数 | 1 | |
| 输出类型 | 三态 | |
| 系列 | 54HCT | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟(tpd) | 56ns@4.5V,50pF | |
| 输出电流 | - | |
| 分辨率(位) | 8 | |
| 输入类型 | TTL兼容CMOS | |
| 灌电流(IOL) | - | |
| 拉电流(IOH) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 功能特性 | 异步清零功能;输出使能;支持正向和反向移位 |
商品概述
'HC259和'HCT299是具有三态总线接口能力的8位移位/存储寄存器。该寄存器有四种同步操作模式,由两个选择输入控制,如模式选择(S0,S1)表所示。模式选择、串行数据(DS0,DS7)和并行数据(I/O₀ - I/O₇)仅对时钟(CP)脉冲的低到高转换做出响应。S0、S1和数据输入必须在时钟正转换前的一个建立时间内保持稳定。 主复位(MR)是一个异步低电平有效输入。当MR输出为低电平时,无论所有其他输入的状态如何,寄存器都会被清零。通过将串行输出(Q0)连接到前一个寄存器的串行数据(DS7)输入,并将串行输出(Q7)连接到下一个寄存器的串行数据(DS0)输入,可以级联相同的单元来扩展寄存器。通过将最后一级的Q7连接到第一级的DS0,可以实现(n × 8)位的循环。 三态输入/输出I(/O)端口有三种操作模式:
- 当两个输出使能(OE1和OE2)输入均为低电平,且S0或S1或两者均为低电平时,寄存器中的数据会在八个输出端呈现。
- 当S0和S1均为高电平时,I/O端子处于高阻抗状态,但作为输入端口,无论OE1(上划线)和OE2(上划线)的状态如何,都可以在一个时钟转换时将并行数据加载到八个寄存器中。
- 两个输出使能输入中的任何一个为高电平,都会迫使I/O端子处于关闭状态。需要注意的是,每个I/O端子都是一个三态输出和一个CMOS缓冲输入。
商品特性
- 缓冲输入
- 四种操作模式:左移、右移、加载和存储
- 可级联以实现N位字长
- I/O₀ - I/O₇总线驱动能力,适用于面向总线的应用的三态
- 典型情况下,在VCC = 5V、CL = 15pF、TA = 25°C时,fMAX = 50MHz
- 扇出(在温度范围内)
- 标准输出:10个LSTTL负载
- 总线驱动器输出:15个LSTTL负载
- 宽工作温度范围:-55°C ~ 125°C
- 平衡的传播延迟和转换时间
- 与LSTTL逻辑IC相比,显著降低功耗
- HC类型:
- 2V ~ 6V工作电压
- 高抗噪能力:在VCC = 5V时,NIL = 30%,NIH = 30%的VCC
- HCT类型:
- 4.5V ~ 5.5V工作电压
- 直接与LSTTL输入逻辑兼容,VIL = 0.8V(最大值),VIH = 2V(最小值)
- CMOS输入兼容性,在VOL、VOH时,II ≤ 1μA


