CD40104BF3

Harris辐射加固CD4000系列CMOS集成电路，R后缀型号可承受总电离辐射剂量1×10^5 rad(Si)，H后缀型号可承受1×10^6 rad(Si)，该辐射耐受性通过晶圆制造过程中的特殊工艺控制实现。代表所有电路复杂度等级的CD4000系列器件样品已完成瞬态辐射效应表征，测试数据给出了翻转、锁存和生存性的发生范围与辐射剂量率的函数关系。体CMOS器件中存在固有双极SCR结构，正常工作时寄生双极SCR处于非激活状态，当寄生SCR结构被激活后器件进入锁存状态，锁存可由高强度瞬态电离辐射产生的光电流或施加过电压诱发，锁存触发后只有移除电源才能使其恢复，若电流未加限制可能导致器件烧毁。可通过利用中子辐照的效应实现体CMOS器件的锁存保护，中子辐照会降低少数载流子寿命，进而衰减双极晶体管的电流增益，正常CMOS性能通常不受中子辐照影响。

• 提供R后缀和H后缀不同辐射耐受等级的产品
• R后缀型号可承受总电离辐射剂量1×10^5 rad(Si)
• H后缀型号可承受总电离辐射剂量1×10^6 rad(Si)
• 可通过中子辐照实现锁存保护