- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IAUMN10S5N016GAUMA1
适用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IAUMN10S5N016GAUMA1
- 商品编号
- C36914760
- 商品封装
- HSOG-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 220A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 325W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 142nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 10.439nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 71pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.674nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 适用于汽车应用的OptiMOSTM功率MOSFET
- N沟道 - 增强型 - 正常电平
- 超出AEC-Q101的扩展认证
- 增强型电气测试
- 稳健设计
- 最高260°C峰值回流温度的MSL2等级
- 175°C工作温度
- 100%雪崩测试
应用领域
-通用汽车应用。