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IAUMN10S5N016GAUMA1
IAUMN10S5N016GAUMA1
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IAUMN10S5N016GAUMA1
- 商品编号
- C36914760
- 商品封装
- HSOG-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30 V，漏极电流（ID） = 55 A，当栅源电压（VGS） = 10 V时，导通电阻（RDS(ON)） < 10 mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现极低的导通电阻（RDS(ON)）
- 采用散热性能良好的优质封装