APT12060LVFRG
1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:20A
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT12060LVFRG
- 商品编号
- C3293047
- 商品封装
- TO-264-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 12.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.25Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 403W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.54nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 365pF |
商品概述
Power MOS 7® 是新一代低损耗、高压、N 沟道增强型功率 MOSFET。Power MOS 7® 通过显著降低 RDS(ON) 和栅极电荷 Qg，同时解决了导通损耗和开关损耗问题。Power MOS 7® 结合了更低的导通和开关损耗，以及先进功率技术公司（APT）专利金属栅极结构固有的极快开关速度。
商品特性
- 更低的输入电容
- 更高的功率耗散
- 更低的米勒电容
- 更易于驱动
- 更低的栅极电荷 Qg
- TO-247 或表面贴装 D³PAK 封装