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ISC044N15NM6ATMA1
N沟道 150V 156A
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- 描述
- 特性：N沟道，正常电平。 极低的导通电阻RDS(on)。 卓越的热阻。 100%雪崩测试。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 根据C-STD-020标准进行MSL 1分类
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- ISC044N15NM6ATMA1
- 商品编号
- C36832211
- 商品封装
- SON-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.28克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 156A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@15V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.2nF |
商品特性
- N沟道,常电平
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 卓越的热阻性能
- 100%雪崩测试
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 根据J-STD-020标准分类为MSL 1
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