GAL16VP8B-15LP

GAL16VP8具有64 mA的驱动能力和15 ns的最大传播延迟时间，非常适合总线和内存控制应用。GAL16VP8采用先进的E2CMOS工艺制造，该工艺将CMOS与电可擦除（E²）浮栅技术相结合。高速擦除时间（<100 ms）使器件能够快速高效地重新编程。 系统总线和内存接口在驱动总线或内存接口信号之前需要控制逻辑。GAL16VP8将常见的GAL16V8架构与总线驱动器相结合作为其输出。通用架构允许用户配置输出逻辑宏单元（OLMC），从而提供了最大的设计灵活性。64 mA的输出驱动消除了使用额外器件来提供总线驱动能力的需求。 独特的测试电路和可重新编程单元允许在制造过程中进行完整的交流、直流和功能测试。因此，所有GAL产品都具备100%的现场可编程性和功能性。此外，规定了100次擦除/写入周期和超过20年的数据保留时间。

• 高驱动E2CMOS GAL器件 — TTL兼容的64 mA输出驱动 — 15 ns最大传播延迟 — Fmax β = 80 MHz — 从时钟输入到数据输出的最大时间为10 ns — 超MOS先进CMOS技术
• 增强的输入和输出特性 — 施密特触发器输入 — 可编程开漏或图腾柱输出 — 所有输入和I/O引脚均有有源上拉
• E2单元技术 — 可重构逻辑 — 可重新编程单元 — 100%测试，100%良品率 — 高速电擦除（<100 ms） — 20年数据保留
• 八个输出逻辑宏单元 — 为复杂逻辑设计提供最大灵活性 — 可编程输出极性 — 架构与标准GAL16V8兼容
• 所有寄存器的预加载和上电复位 — 100%功能可测试性
• 用于识别的电子签名

• 非常适合总线控制和总线仲裁逻辑
• 总线地址解码逻辑
• 内存地址、数据和控制电路
• DMA控制