IXFB40N110P
1个N沟道 耐压:1.1kV 电流:40A
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- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXFB40N110P
- 商品编号
- C3291214
- 商品封装
- TO-264-3(TO-264AA)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 12.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25kW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 6.5V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 310nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.07nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 46pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 46pF |
商品概述
这些互补功率MOSFET采用先进的MegaFET工艺制造。该工艺采用的特征尺寸接近大规模集成电路（LSI），能充分利用硅材料，从而实现出色的性能。它专为开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器和低压总线开关等应用而设计。该产品在3V至5V的栅极偏置电压范围内可实现全额定导通，从而便于直接通过逻辑电平（5V）集成电路进行真正的开关功率控制。
商品特性
- 20A、12V（N沟道）
- 10A、12V（P沟道）
- rDS(ON) = 0.060欧姆（N沟道）
- rDS(ON) = 0.140欧姆（P沟道）
- 温度补偿PSPICE模型
- 导通电阻与栅极驱动电压曲线
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- 单脉冲雪崩耐量（UIS）额定曲线
应用领域
- 开关稳压器-开关转换器-电机驱动器-继电器驱动器-低压总线开关