商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.3Ω@10V,0.65A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 230pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
梯度价格
梯度
售价
折合1管
1+￥2.4326
200+￥0.9414
500+￥0.9083
1000+￥0.892￥892
优惠活动
库存总量
(单位：个)广东仓
0
江苏仓
0
购买数量
(1000个/管，最小起订量 1 个 )个
起订量：1 个1000个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单
咨询客服- 优惠券
- 芯媒体
- 建议反馈
- 投诉意见
- 收起