BUZ21
N沟道,电流:19A,耐压:100V
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- BUZ21
- 商品编号
- C3290437
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 240pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 700pF |
商品概述
TPIC1505是一款单片功率阵列，由十个电气隔离的N沟道增强型功率DMOS晶体管组成，其中四个配置为一个完整的H桥，六个配置为三个半H桥。完整H桥的下桥臂采用集成式检测FET，可实现AB类偏置。 TPIC1505采用24引脚宽体表面贴装（DW）封装，工作壳温范围为-40°C至125°C。
商品特性
- 19A、100V
- 导通电阻rDS(on) = 0.1Ω
- 安全工作区受功率耗散限制
- 纳秒级开关速度
- 线性传输特性
- 高输入阻抗
- 多数载流子器件