DMTH62M8SPS-13
N沟道,电流:100A,耐压:60V
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- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH62M8SPS-13
- 商品编号
- C3283319
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 95.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.556nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 105.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
Vishay Siliconix 推出的新型无引脚 1206 - 8 封装 ChipFET 与常见的 1206 - 8 电阻器和电容器外形相同，但具备真正功率半导体器件的所有性能。1206 - 8 ChipFET 与 LITTLE FOOT TSOP - 6 的主体占位面积相同，从电路板面积规划角度可将其视为无引脚的 TSOP - 6，但其热性能可与更大尺寸的 SO - 8 相媲美。
商品特性
- 额定温度可达+175°C,适用于高环境温度环境
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试,确保最终应用更可靠、更耐用
- 散热效率高的封装,使应用运行时温度更低
- 高转换效率
- 低RDS(ON),可最小化导通损耗
- 封装高度小于1.1mm,适用于轻薄型应用
- 无铅涂层,符合RoHS标准
- 无卤素和锑,是“绿色”器件
应用领域
- 开关
- 同步整流
- DC-DC转换器