IPI90R1K0C3
N沟道,电流:5.7A,耐压:900V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPI90R1K0C3
- 商品编号
- C3282830
- 商品封装
- TO-262-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 900V | |
连续漏极电流(Id) | 5.7A | |
导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V,3.3A |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
耗散功率(Pd) | 89W | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 850pF@100V | |
反向传输电容(Crss) | 15pF@400V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
梯度价格
梯度
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折合1管
1+¥6.52¥326
200+¥2.52¥126
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