NP40N055KLE-E1-AY
N沟道,电流:40A,耐压:55V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NP40N055KLE-E1-AY
- 商品编号
- C3281538
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 66W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.95nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 280pF |
商品概述
这些N沟道功率MOSFET采用MegaFET工艺制造。该工艺采用的特征尺寸接近大规模集成电路（LSI），可实现硅的最佳利用，从而带来出色的性能。它们专为开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用而设计。这些晶体管可直接由集成电路驱动。
商品特性
- 70A，30V
- rDS(ON) = 0.010Ω
- 温度补偿PSPICE模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- UIS额定曲线（单脉冲）
- 175°C工作温度
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