NP40N10VDF-E1-AY
100V, 40A, N沟道MOSFET
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NP40N10VDF-E1-AY
- 商品编号
- C3281272
- 商品封装
- TO-252(MP-3ZP)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 71nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 144pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 300pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效开关式DC/DC转换器、开关模式电源。
商品特性
- 低导通电阻
- 最大RDS(on) = 25 mΩ(VGS = 10 V,ID = 20 A)(NP40N10YDF)
- 最大RDS(on) = 26 mΩ(VGS = 10 V,ID = 20 A)(NP40N10VDF)
- 最大RDS(on) = 27 mΩ(VGS = 10 V,ID = 20 A)(NP40N10PDF)
- 低输入电容Ciss:典型值Ciss = 2100 pF(VDS = 25 V,VGS = 0 V)
- 逻辑电平驱动类型
- 专为汽车应用设计,并符合AEC - Q101标准
应用领域
- 汽车领域
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