NP90N04VDG-E1-AY

该器件采用了先进的新型沟槽MOSFET技术，在保持低导通电阻的同时，还具备低栅极电荷的特性。该器件针对开关应用进行了优化，可提高DC/DC转换器的整体效率，并允许在更高的开关频率下工作。

• 快速开关
• rDS(ON) = 0.008 Ω（典型值），VGS = 10 V
• rDS(ON) = 0.0115 Ω（典型值），VGS = 4.5 V
• Qg（典型值） = 17nC，VGS = 5 V
• Qgd（典型值） = 5.4nC
• CIS(ISS)（典型值） = 1800 pF

• 标准应用:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
• 高品质应用:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命支持的医疗设备。