RM11N800T2
1个N沟道 耐压:800V 电流:11A
- 品牌名称RECTRON(丽正)
商品型号
RM11N800T2商品编号
C3280515商品封装
TO-220-3包装方式
管装
商品毛重
1克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 800V | |
连续漏极电流(Id) | 11A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 420mΩ@5.5A,10V |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
功率(Pd) | 188W | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
输入电容(Ciss@Vds) | 2.6nF@50V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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