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MC74VHC1G135DFT2G-Q实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MC74VHC1G135DFT2G-Q

2输入与非施密特触发器,漏极输出

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描述
是一款单门CMOS施密特与非触发器,采用硅栅CMOS技术制造,具有开漏输出。能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行,同时保持CMOS的低功耗。内部电路由三级组成,包括一个缓冲三态输出,提供高抗噪性和稳定输出。输入结构在施加高达5.5V的电压时提供保护,无论电源电压如何,允许该器件用于5V电路与3V电路的接口。一些输出结构在VCC = 0V和输出电压超过VCC时也提供保护,有助于防止因电源电压-输入/输出电压不匹配、电池备份、热插拔等造成的器件损坏。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
MC74VHC1G135DFT2G-Q
商品编号
C36635211
商品封装
SC-88A​
包装方式
编带
商品毛重
0.029克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录逻辑门
逻辑类型与非门
通道数1
工作电压2V~5.5V
静态电流(Iq)40uA
灌电流(IOL)8mA
拉电流(IOH)8mA
输入高电平(VIH)-
属性参数值
输入低电平(VIL)-
输出高电平(VOH)-
输出低电平(VOL)520mV
系列-
传播延迟(tpd)12.3ns@5V,50pF
工作温度-55℃~+125℃
输入通道数2
功能特性局部关断模式;过压容忍输入;后驱动保护

商品概述

MC74VHC1G135是一款采用硅栅CMOS技术制造的单门CMOS施密特与非触发器,具有开漏输出。它能实现与等效双极肖特基TTL相似的高速运行,同时保持CMOS的低功耗特性。内部电路由三级组成,包括一个缓冲三态输出,提供高抗噪性和稳定输出。输入结构在施加高达5.5V电压时提供保护,无论电源电压如何,这使得该器件可用于5V电路与3V电路的接口。一些输出结构在VCC = 0V以及输出电压超过VCC时也提供保护。这些输入和输出结构有助于防止因电源电压 - 输入/输出电压不匹配、电池备份、热插拔等原因导致的器件损坏。

商品特性

  • 设计用于2.0V至5.5V VCC操作
  • 5V时典型传输延迟时间tPD为4.9ns
  • 输入/输出可承受高达5.5V的过压
  • IOFF支持部分掉电保护
  • 3.0V时源/灌电流为8mA
  • 提供SC - 88A、SC - 74A、SOT - 553、SOT - 953和UDFN6封装
  • 芯片复杂度小于100个FET
  • 带有 - Q后缀,适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;符合AEC - Q100标准且具备PPAP能力
  • 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准

应用领域

  • 汽车应用
  • 5V与3V电路接口应用

数据手册PDF