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DOD50N03
1个N沟道 耐压:30V 电流:55A
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- 描述
- N管/30V/55A/10mΩ(典型7.5mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOD50N03
- 商品编号
- C36499176
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44296克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 940pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下可提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = -30 V，ID = -10 A，在VGS = -10 V时，RDS(ON) < 15 mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低RDS(ON)
- 出色的封装，具有良好的散热性能