RT8231BGQW

RT8231A/B 为 DDR2/DDR3/DDR3L/LPDDR3/DDR4/LPDDR4 内存系统提供完整的电源。它集成了一个同步 PWM 降压控制器、一个 1.5A 灌/拉电流跟踪线性稳压器和一个缓冲低噪声基准源。 PWM 控制器具备低静态电流、高效率、出色的瞬态响应和高直流输出精度，可将高压电池降压，为笔记本电脑中的芯片组 RAM 提供低压电源。恒定导通时间 PWM 控制方案能轻松处理宽输入/输出电压比，在保持相对恒定开关频率的同时，对负载瞬变提供 100ns 的“即时导通”响应。 RT8231A/B 通过省去传统电流模式 PWM 中的电流检测电阻，以较低成本实现了高效率。其驱动大型同步整流 MOSFET 的能力进一步提高了效率。降压转换使该器件能够直接对高压电池进行降压，以实现尽可能高的效率。 1.5A 灌/拉电流 LDO 仅需一个 10μF 陶瓷输出电容，即可保持快速的瞬态响应。此外，LDO 电源输入可从外部获取，以显著降低总功率损耗。 RT8231A/B 支持所有睡眠状态控制，在 S3 模式下将 VTT 置于高阻态，在 S4/S5 模式下对 VDDQ、VTT 和 VTTREF 进行放电（软关断）。 RT8231A/B 提供过压保护 (OVP)、欠压保护 (UVP) 和热关断等保护功能。RT8231A/B 采用 WQFN-20L 3x3 封装。

• PWM 控制器
  • 采用低端 RDS(ON) 检测的可调电流限制
  • 低静态电源电流
  • 100ns 内实现快速负载阶跃响应
  • 跨线路和负载的 VVDDQ 精度达 1%
  • 输出范围可调，为 0.675V 至 3.3V，适用于 1.8V (DDR2)、1.5V (DDR3)、1.35V (DDR3L)、1.2V (LPDDR3)、1.2V (DDR4) 和 1.1V (LPDDR4)
  • 电池输入范围为 4.5V 至 26V
  • 电阻可调频率
  • 过压/欠压保护
  • 内部电压斜坡软启动
  • 驱动大型同步整流 MOSFET
  • 电源良好指示
• 1.5A LDO (VTT)、缓冲基准源 (VTTREF)
  • 灌/拉电流能力高达 1.5A
  • 可通过外部 LDO 输入优化功率损耗
  • 仅需 10μF 陶瓷输出电容
  • 集成分压器，使 VTT 和 VTTREF 跟踪 1/2 VDDQ
  • VTTREF 和 VTT 的精度为 ±20mV
  • 支持 S3 模式下的高阻态和 S4/S5 模式下的软关断
• 符合 RoHS 标准且无卤

• DDR2/DDR3/DDR3L/LPDDR3/DDR4/LPDDR4 内存电源
• 笔记本电脑
• SSTL18、SSTL15 和 HSTL 总线终端