GT28F008B3T120

新的Smart 3高级引导块，基于英特尔最新的0.4μ技术制造，代表了一种功能丰富的解决方案，总体系统成本更低。Smart 3闪存设备集成了低电压功能（2.7V读、编程和擦除）以及高速、低功耗运行。已添加了几项新功能，包括驱动I/O的能力在1.8V，这显著降低了系统活动功耗并与1.8V控制器接口。一种新的阻塞方案能够在单个设备内实现代码和数据存储。再加上英特尔开发的Flash Data Integator (FDI)软件，你就拥有了当今市场上最具成本效益的单片代码加数据存储解决方案。Smart 3高级引导块字节宽产品将提供40引脚TSOP和48球μBGA封装。

• 适用于低功耗、便携式系统
• 用于存储频繁更新的小参数（例如，通常存储在EEPROM中的数据）
• 代码和数据存储
• 通过本地CPU或微控制器进行读取、编程和擦除操作
• 与微处理器或微控制器的接口
• 适用于8位应用