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英特尔 3 伏快启动块闪存存储器提供最高的性能同步突发读取——使其成为突发 CPU 的理想存储器解决方案。英特尔 3 伏快启动块闪存存储器还支持非时钟存储器子系统中的异步页模式操作。将高性能读取与闪存固有的非易失性相结合，消除了从较慢的非易失性存储源将代码阴影到更快执行存储器设备（例如，SRAM SDRAM）的传统冗余存储器范例，从而提高了系统性能。通过将 3 伏快启动块闪存存储器添加到您的系统中，您可以减少总存储器需求，这有助于提高可靠性并降低整体系统功耗——同时降低系统成本。

该系列产品采用英特尔 0.4 μm ETOx V 工艺技术制造。它们有各种行业标准封装技术可供选择。

• 爆发式CPU
• 非时钟内存子系统
• 低功耗设计
• 单电源电压，低功耗和电池供电应用