温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BSS214NWH6327
1个N沟道 耐压:20V 电流:1.5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：N沟道增强模式。 超级逻辑电平（额定2.5V）。 雪崩额定。 根据AEC Q101标准认证。 100%无铅，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSS214NWH6327
- 商品编号
- C3247496
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@3.7uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 800pC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 143pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 62pF |
商品概述
A2T采用沟槽加工技术设计，可实现极低的导通电阻、快速的开关速度和更高的传输效率。这些特性相结合，使该设计成为适用于各种直流-直流应用的高效可靠器件。
商品特性
- 低导通电阻
- 工作温度达150°C
- 快速开关
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理