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LM74701QDDFRQ1

无TVS汽车电池反向保护理想二极管控制器

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描述: LM74701-Q1 具有集成 VDS 钳位的汽车类 3.2V 至 65V 电池反向保护理想二极管控制器
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: LM74701QDDFRQ1
商品编号: C3236221
商品封装: TSOT-23-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.076433克(g)

商品参数

商品概述

LM74701-Q1 是一款符合汽车 AEC Q100 标准的理想二极管控制器，与外部 N 沟道 MOSFET 配合工作，可作为理想二极管利用 20mV 正向压降实现低损耗反极性保护。LM74701-Q1 适用于为 12V 汽车系统提供输入保护。3.2V 输入电压支持适用于汽车系统中严苛的冷启动要求。该器件通过控制 MOSFET 的栅极将正向压降调节至 20mV。该调节方案可在反向电流事件中支持 MOSFET 平稳关断，并确保零直流反向电流。该器件能够快速 (<0.75μs) 响应反向电流阻断，因此适用于在 ISO7637 脉冲测试以及电源故障和输入微短路条件下要求保持输出电压的系统。LM74701-Q1 具有独特的集成 VDS 钳位特性，能够帮助用户实现无 TVS 输入极性保护解决方案，并在受限的汽车系统中节省平均 60%（典型值）的 PCB 空间。 LM74701-Q1 控制器可提供适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器。当使能引脚处于低电平时，控制器关闭，消耗大约 1μA 的电流。

商品特性

具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
器件温度等级 1：– 40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
器件 HBM ESD 分类等级 2
器件 CDM ESD 分类等级 C4B
3.2V 至 65V 输入范围（3.9V 启动）
–33V 反向电压额定值
适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵
20mV 阳极至阴极正向压降调节
1μA 关断电流（EN = 低电平）
80μA 工作静态电流（EN = 高电平）
2A 峰值栅极关断电流
快速响应反向电流阻断：<0.75μs
集成电池电压监控开关 (SW)
符合汽车 ISO7637 瞬态要求，无需额外的输入 TVS 二极管（无 TVS）
2.90mm×1.60mm 8 引脚 SOT-23 封装

应用领域

汽车 ADAS 系统 – 摄像头
汽车信息娱乐系统 – 音响主机、远程信息处理控制单元
汽车 USB 集线器
用于冗余电源的有源 ORing

	属性	参数值
	商品目录	理想二极管/ORing控制器
	输入电压(Vin)	3.2V~60V
	反向耐压	33V
	FET类型	外置FET
	栅极驱动电压	15V

	属性	参数值
	正向压降(Vf)	20mV
	静态电流(Iq)	80uA
	工作温度	-40℃~+150℃
	拉电流(IOH)	11mA
	灌电流(IOL)	2A