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DMC2450UV-7
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:1030mA
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- 描述
- 新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMC2450UV-7
- 商品编号
- C397938
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.03A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 900mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 500pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 37.1pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.8pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品特性
- 低漏源导通电阻：漏源导通电阻（RDS(ON)） = 0.54 Ω（典型值）
- 高正向传输导纳：正向传输导纳幅值（|Y_fs|） = 8.5 S（典型值）
- 低泄漏电流：漏源泄漏电流（IDSS） = 100 μA（最大值）（漏源电压（VDS） = 600 V）
- 增强型：阈值电压（V_th） = 2.0 至 4.0 V（漏源电压（VDS） = 10 V，漏极电流（ID） = 1 mA）
应用领域
- 一般电子应用（如计算机、个人设备、办公设备、测量设备、工业机器人和家用电子电器）