UCN5812EPFTR

UCQ5812AF/EPF 结合了一个 20 位 CMOS 移位寄存器、数据锁存器和控制电路，以及高压双极源驱动器和有源 DMOS 灌电流源，以降低供电电流要求。虽然主要设计用于真空荧光显示器，但其高压、高电流输出也使其能够用于其他外围电源驱动应用。

CMOS 移位寄存器和锁存器允许与基于微处理器的系统直接接口。在 5 V 供电下，它们可以工作到至少 3.3 MHz。在 12 V 时，可以实现更高的速度。特别适用于数字间隙消隐，BLANKING 输入可禁用输出源驱动器并打开 DMOS 汇流驱动器。与 TTL 一起使用可能需要使用适当的上拉电阻来确保输入逻辑高电平。

一个 CMOS 串行数据输出支持级联连接，用于需要额外驱动线的应用。类似的器件有 UCQ5810AF/LWF（10 位）、UCQ5811A（12 位）和 UCQ5818AF/EPF（32 位）。

输出源驱动器是具有 60 V 最小击穿电压的高压 PNP-NPN 达林顿管，能够提供高达 40 mA 的电流。有源 DMOS 灌电流源能够提供高达 15 mA 的电流。

UCQ5812AF 封装为 28 引脚双列塑料封装，引脚间距为 0.600" (15.24 mm)。对于表面贴装，UCQ5812EPF 封装为 28 引脚塑料芯片载体（四方封装），引脚中心间距为 0.050" (1.22 mm)。铜引线框架、降低的供电电流要求和更低的输出饱和电压允许 UCQ5812AF 在整个工作温度范围内连续运行，所有输出均提供 25 mA 电流，而 UCQ5812EPF 则可运行至 +75℃。

• 真空荧光显示屏
• 其他外围电源驱动应用