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R5F104MKGFB#10实物图
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R5F104MKGFB#10

R5F104MKGFB#10

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商品型号
R5F104MKGFB#10
商品编号
C3230773
商品封装
LFQFP-80(12x12)​
包装方式
托盘
商品毛重
1.679克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录单片机(MCU/MPU/SOC)
CPU内核RL78
CPU最大主频32MHz
CPU位数16 Bit
程序存储容量384KB
程序存储器类型FLASH
RAM容量32KB
EEPROM容量8KB
属性参数值
I/O数量64
ADC(位数)10bit
DAC(位数)8bit
振荡器类型内置
工作电压2.4V~5.5V
工作温度-40℃~+105℃
功能特性-

商品概述

该平台是一款真正的低功耗平台,适用于通用应用,功耗低至66 µA/MHz,在仅运行实时时钟和低压检测器时功耗仅为0.60 µA。其工作电压范围为1.6 V至5.5 V,代码闪存容量为16 KB至512 KB,在32 MHz频率下性能可达44 DMIPS。

商品特性

  • 超低功耗技术:单电源电压VDD为1.6 V至5.5 V,支持1.8 V器件低压运行;支持HALT模式、STOP模式和SNOOZE模式。
  • RL78 CPU内核:采用CISC架构和3级流水线;最小指令执行时间可从高速(0.03125 µs @ 32 MHz高速片上振荡器)调整至超低速(30.5 µs @ 32.768 kHz子系统时钟);支持乘/除/乘加指令;地址空间为1 MB;通用寄存器为(8位寄存器 × 8)× 4组;片上RAM为2.5 KB至48 KB。
  • 代码闪存:容量为16 KB至512 KB;块大小为1 KB;支持禁止块擦除和重写(安全功能);具备片上调试功能;支持带启动交换和闪存保护窗口的自编程。
  • 数据闪存:容量为4 KB和8 KB;支持后台操作,可在重写数据闪存时从程序存储器执行指令;典型重写次数为1,000,000次;重写电压VDD为1.8 V至5.5 V。
  • 高速片上振荡器:可选频率包括64 MHz、48 MHz、32 MHz、24 MHz、16 MHz、12 MHz、8 MHz、6 MHz、4 MHz、3 MHz、2 MHz和1 MHz;高精度为±1.0%(VDD = 1.8 V至5.5 V,TA = -20°C至+85°C)。
  • 工作环境温度:TA = -40°C至+85°C(A:消费类应用,D:工业应用);TA = -40°C至+105°C(G:工业应用)。
  • 电源管理与复位功能:具备片上上电复位电路;片上电压检测器(可从14个级别中选择中断和复位)。
  • 数据传输控制器:传输模式包括正常传输模式、重复传输模式和块传输模式;由中断源激活;具备链式传输功能。
  • 事件链接控制器:可将19至26种类型的事件信号链接到指定的外设功能。
  • 串行接口:简化SPI(CSI):3至8通道;UART/UART(支持LIN总线):3或4通道;I²C/简化I²C:4至10通道。
  • 定时器:16位定时器:8至12通道(定时器阵列单元:4至8通道,定时器RJ:1通道,定时器RD:2通道,定时器RG:1通道);12位间隔定时器:1通道;实时时钟:1通道(支持99年日历、报警功能和时钟校正功能);看门狗定时器:1通道(可使用专用低速片上振荡器运行)。
  • A/D转换器:8/10位分辨率A/D转换器(VDD = 1.6 V至5.5 V);模拟输入:8至20通道;具备内部参考电压(1.45 V)和温度传感器。
  • D/A转换器:8位分辨率D/A转换器(VDD = 1.6 V至5.5 V);模拟输出:无或最多2通道;输出电压范围:0 V至VDD;具备实时输出功能。
  • 比较器:无或最多2通道;工作模式包括比较器高速模式、比较器低速模式和窗口模式;参考电压可选择外部参考电压或内部参考电压。
  • I/O端口:I/O端口数量为26至92个(耐压6 V的N沟道开漏I/O:2至4个,耐压VDD/EVDD的N沟道开漏I/O:10至28个);可设置为N沟道开漏、TTL输入缓冲器和片上上拉电阻;支持不同电位接口,可连接1.8 V/2.5 V/3 V器件;具备片上按键中断功能;具备片上时钟输出/蜂鸣器输出控制器。
  • 其他:具备片上BCD校正电路。

数据手册PDF