VND10N06-1-E

VND10N06 和 VND10N06-1 是采用 STMicroelectronics VIPower M0-2 技术设计的单片器件，旨在替代直流到50KHz应用中的标准功率MOSFETs。内置热关断、线性电流限制和过电压钳位保护芯片在恶劣环境中免受损害。